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NAND闪存将被RRAM颠覆存储器市场暗潮涌动OFweek电子工程网dd-【新闻】

发布时间:2021-04-11 15:13:12 阅读: 来源:平开门厂家

NAND闪存将被RRAM颠覆?存储器市场暗潮涌动 - OFweek电子工程网

OFweek电子工程网讯:NAND闪存已经成为固态存储的霸主,不过它也存在诸多问题,尤其是寿命随着工艺的先进化而不断缩短,TLC格式也引发了诸多质疑,因此研发一种可取而代之的新式非易失性存储技术势在必行。 从FRAM到相变式存储器,新选手不断涌现,但目前还未能挑战NAND的地位。直到最近,名为电阻式RAM的新贵出现了,它最被看好,三星、闪迪等巨头都在投入,不过,走在最前列的是一家美国创业公司Crossbar。 RRAM相较于NAND最大的优势就是更好的性能、寿命。NAND的读取延迟一般在几百微妙级别,Crossbar宣称他们可以做到最低50ns,也就是加快了上万倍。RRAM的编程/擦写循环更是可以达到数百万次,初期也能做到10万次左右,NAND闪存现在只有区区几千次。 令人欢欣鼓舞的最新消息是,Crossbar宣布他们的RRAM已经开始进入商业化阶段,也就是有了可用的成品芯片,并证明自己能够进入工厂量产。 Crossbar初期准备面向嵌入式市场,授权给ASIC、FPGA、SoC开发商,预计首个样品2015年初出炉,2015年底或2016年初量产。除了授权,Crossbar还在开发自己的芯片,容量和密度更高,大概会在2017年面世。 除了Crossbar,闪存大厂美光也与索尼公司联合研发了可变电阻式ReRAM,只不过道路坎坷一些,从2007年出现后,几乎每年都会透露一些进展,但就是距离量产也没有给出具体时间表。美光可变电阻式ReRAM和Crossbar RRAM有些类似,同样是非易失性存储,但是更强调电阻可变,同时为了区分,缩写也有所不同。 美光在IEEE IEDM 2014国际电子设备大会上上公布的原型采用了27nm CMOS工艺制造,三层铜线互连,单颗容量16Gb(2GB),内核面积168平方毫米。作为原型,它采用了DDR内存接口,但后期很容易替换。 在诸多半导体器件中,存储器是最有希望头一个迈入下个时代的,无论哪种技术胜出,都可能成撬动行业的支点。

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