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NAND闪存将被RRAM颠覆？存储器市场暗潮涌动 - OFweek电子工程网

OFweek电子工程网讯：NAND闪存已经成为固态存储的霸主，不过它也存在诸多问题，尤其是寿命随着工艺的先进化而不断缩短，TLC格式也引发了诸多质疑，因此研发一种可取而代之的新式非易失性存储技术势在必行。 从FRAM到相变式存储器，新选手不断涌现，但目前还未能挑战NAND的地位。直到最近，名为电阻式RAM的新贵出现了，它最被看好，三星、闪迪等巨头都在投入，不过，走在最前列的是一家美国创业公司Crossbar。 RRAM相较于NAND最大的优势就是更好的性能、寿命。NAND的读取延迟一般在几百微妙级别，Crossbar宣称他们可以做到最低50ns，也就是加快了上万倍。RRAM的编程/擦写循环更是可以达到数百万次，初期也能做到10万次左右，NAND闪存现在只有区区几千次。 令人欢欣鼓舞的最新消息是，Crossbar宣布他们的RRAM已经开始进入商业化阶段，也就是有了可用的成品芯片，并证明自己能够进入工厂量产。 Crossbar初期准备面向嵌入式市场，授权给ASIC、FPGA、SoC开发商，预计首个样品2015年初出炉，2015年底或2016年初量产。除了授权，Crossbar还在开发自己的芯片，容量和密度更高，大概会在2017年面世。 除了Crossbar，闪存大厂美光也与索尼公司联合研发了可变电阻式ReRAM，只不过道路坎坷一些，从2007年出现后，几乎每年都会透露一些进展，但就是距离量产也没有给出具体时间表。美光可变电阻式ReRAM和Crossbar RRAM有些类似，同样是非易失性存储，但是更强调电阻可变，同时为了区分，缩写也有所不同。 美光在IEEE IEDM 2014国际电子设备大会上上公布的原型采用了27nm CMOS工艺制造，三层铜线互连，单颗容量16Gb(2GB)，内核面积168平方毫米。作为原型，它采用了DDR内存接口，但后期很容易替换。 在诸多半导体器件中，存储器是最有希望头一个迈入下个时代的，无论哪种技术胜出，都可能成撬动行业的支点。

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